本论文采用溶胶凝胶法制备了TiO2薄膜,研究Pt/TiO2/Pt器件的电致阻变性质,并结合I-V特性曲线分析器件内部的阻变机制,器件高低阻态的导电机制分别为肖特基发射机制和欧姆导电机制。结果表明,Pt/TiO2/Pt器件在非易失性存储器领域具有潜在的应用。 然后将附有薄膜的衬底移至烤台上，静止5min，烤台的温度为300℃。重复多次，直至薄膜达到所需要的厚度。根据实验要求，将制备好的薄膜在管式炉中进行后续退火处理。为了测试薄膜的电学性能，需要在薄膜的表面镀上顶电极形成金属/二氧化钛/金属的三明治结构，如图3中插图所示。利用离子溅射仪在制备好的薄膜表面溅射电极Pt，溅射之前用一块掩膜板覆盖在薄膜，致阻变性质的研究-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港倒角机液压滚圆机弯管机使溅射出来的顶电极在薄膜表面均匀分布。2器件的结构表征采用冷场扫描电镜（SEM，型号为JSM-7000F）本文由公司网站张家港大棚弯管机 转摘采集转载中国知网整理! !   http://www.dapengwanguanji.com/观测薄膜的横截面厚度和表面形貌，图1表示衬底Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备的二氧化钛薄膜的横截面图和表面形貌图。从图中可以看出，经过600℃后续退火的薄膜表面光滑平整，晶粒大小均匀，晶粒尺寸约为20-30nm，薄膜的厚度约为110nm。我们采用X射线光电子能谱（XPS，型号为ESCALab250）测试分析了薄膜的组分，图2为Ti2p轨道的窄谱扫描图，Ti2p轨道由峰Ti2p1/2和2p3/2两个峰组成，峰形拟合图确定了薄膜中Ti4+的存在，表明薄膜的组分为二氧化钛[7]。1（a）横截面1（b）表面形貌图1扫描电子显微镜（SEM）基于TiO2薄膜电阻式随机存储器电致阻变性质的研究邹利兰（广东海洋大学电子与信息工程学院，广东湛江，524088）摘要：本论文采用溶胶凝胶法制备了TiO2薄膜，研究Pt/TiO2/Pt器件的电致阻变性质，并结合I-V特性曲线分析器件内部的阻变机制,器件高低阻态的导电机制分别为肖特基发射机制和欧姆导电机制。结果表明，Pt/TiO2/Pt器件在非易失性存储器领域具有潜在的应用。关键词：致阻变性质的研究-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港倒角机液压滚圆机弯管机本文由公司网站张家港大棚弯管机 转摘采集转载中国知网整理! !   http://www.dapengwanguanji.com/